絕緣電阻表的精度等級(jí)的表示

絕緣電阻表主要用于測(cè)量電氣設(shè)備的絕緣電阻，絕緣電阻的測(cè)量對(duì)于保證電氣設(shè)備產(chǎn)品質(zhì)量，保護(hù)工作人員和運(yùn)行設(shè)備的安全具有重要的意義。絕緣電阻表屬于直接作用模擬指示電測(cè)量?jī)x表，由于它的讀數(shù)以兆歐為單位，所以俗稱“兆歐表”。 絕緣電阻表的工作原理 電氣工程中常需要用絕緣電阻表測(cè)試絕緣材料的絕緣電阻，它們的阻值在幾百到幾千兆歐，并且隨著測(cè)試值的增大，絕緣電阻表的相應(yīng)量程電壓增大。 絕緣電阻表由手搖發(fā)電機(jī)和磁電系比率計(jì)構(gòu)成，其工作原理與萬用表相似，只是在測(cè)量電阻的電路中設(shè)有電源，如圖1所示。 由于絕緣電阻的阻值大，必須有較高的電壓才能得到足夠的靈敏度，因此絕緣電阻表中配有一臺(tái)手搖發(fā)電機(jī)，它是隨著絕緣電阻表的量程而配比的發(fā)電機(jī)，量程越高，配用發(fā)電機(jī)的發(fā)生電壓越高，配用的發(fā)電機(jī)從500～2500V，額定轉(zhuǎn)速為120r／min。 絕緣電阻表的測(cè)量機(jī)構(gòu)如圖1a所示，它與磁電系儀表相似，但它有兩個(gè)線圈，兩個(gè)線圈呈一定角度固定到軸上，固定部分為 磁鐵。絕緣電阻表中設(shè)有游絲，電流由無反作用力矩的導(dǎo)流絲引入，線圈中的環(huán)形鐵心有缺口，并且鐵心和 磁鐵磁極之間的氣隙不均勻。因此氣隙中的磁場(chǎng)不均勻，線圈轉(zhuǎn)動(dòng)在不同位置所產(chǎn)生的力矩不同，從而使指針的偏轉(zhuǎn)角與兩線圈中的電流比率成正比，因此把這種測(cè)量機(jī)構(gòu)稱為比率計(jì)。 絕緣電阻表準(zhǔn)確度等級(jí)的表示 絕緣電阻表是國家強(qiáng)制檢定的計(jì)量器具，在使用前必須按照檢定規(guī)程規(guī)定的檢定周期進(jìn)行檢定，合格后方可使用。 絕緣電阻表是否符合其準(zhǔn)確度等級(jí)，主要是通過基本誤差的檢定來判斷的。在JJG622-1997《絕緣電阻表（兆歐表）》檢定規(guī)程中，對(duì)于絕緣電阻表準(zhǔn)確度等級(jí)分5級(jí)：1.0、2.0、5.0、10.0、20.0，其基本誤差是用相對(duì)誤差表示的。在標(biāo)度尺測(cè)量范圍（有效范圍）內(nèi)，每條選定分度線的基本誤差應(yīng)不超過所對(duì)應(yīng)絕緣電阻表的準(zhǔn)確度等級(jí)。以前生產(chǎn)的絕緣電阻表的基本誤差是按標(biāo)尺弧度定義的，即以儀表的弧長(zhǎng)誤差與標(biāo)尺總弧長(zhǎng)之比的百分?jǐn)?shù)表示。 由于基本誤差表示方法的不同，按舊標(biāo)準(zhǔn)和新標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)的絕緣電阻表準(zhǔn)確度等級(jí)產(chǎn)生了很大的區(qū)別。例如：對(duì)于原來的1.0.1.5級(jí)表，其基本誤差是按標(biāo)尺弧長(zhǎng)表示的，目前這種用弧長(zhǎng)表示的準(zhǔn)確度等級(jí)仍在使用。那么新的檢定人員在檢定絕緣電阻表時(shí)，不注意表盤上的準(zhǔn)確度等級(jí)的標(biāo)志，誤將原來弧長(zhǎng)表示的1.9級(jí)表，當(dāng)成現(xiàn)在用相對(duì)誤差表示的（。可級(jí)表，在檢定結(jié)果判定時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重錯(cuò)誤，其實(shí)它相當(dāng)于用相對(duì)誤差表示的準(zhǔn)確度等級(jí)為10.0級(jí)表。按照J(rèn)JG622-1997《絕緣電阻表（兆歐表）》檢定規(guī)程中表1的規(guī)定，下面將絕緣電阻表準(zhǔn)確度等級(jí)及允許示值誤差與允許弧長(zhǎng)誤差作了一個(gè)表，便于對(duì)照。

晶閘管為什么兩端要對(duì)接電阻電容

一、晶閘管（可控硅）兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管（可控硅）電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。 我們知道，晶閘管（可控硅）有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管（可控硅）在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管（可控硅）從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的 電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管（可控硅）的電壓上升率的值，則會(huì)在無門極信號(hào)的情況下開通。即使此時(shí)加于晶閘管（可控硅）的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管（可控硅）可以看作是由三個(gè)PN結(jié)組成。 在晶閘管（可控硅）處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)晶閘管（可控硅）陽極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管（可控硅）在關(guān)斷時(shí)，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號(hào)的情況下，晶閘管（可控硅）誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對(duì)加到晶閘管（可控硅）上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。 為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管（可控硅）安全運(yùn)行，常在晶閘管（可控硅）兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因?yàn)殡娐房偸谴嬖陔姼械模ㄗ儔浩髀└谢蜇?fù)載電感），所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過電壓損壞晶閘管（可控硅）。同時(shí)，避免電容器通過晶閘管（可控硅）放電電流過大，造成過電流而損壞晶閘管（可控硅）。 由于晶閘管（可控硅）過流過壓能力很差，如果不采取可靠的保護(hù)措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)就是常用的保護(hù)方法之一。